Tillverkare Produktnummer:
SI7884BDP-T1-GE3
Product Overview
Tillverkare:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Delenummer:
SI7884BDP-T1-GE3-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 40 V 58A (Tc) 4.6W (Ta), 46W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventarier:
12954 Pcs Ny Original I Lager
12912491
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
SI7884BDP-T1-GE3 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Vishay
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
40 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
58A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
7.5mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
77 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3540 pF @ 20 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
4.6W (Ta), 46W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PowerPAK® SO-8
Paket / Fodral
PowerPAK® SO-8
Grundläggande produktnummer
SI7884
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
3,000
Andra namn
SI7884BDP-T1-GE3DKR
SI7884BDPT1GE3
SI7884BDP-T1-GE3TR
SI7884BDP-T1-GE3CT
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
SI3410DV-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP
SI2318DS-T1-E3
MOSFET N-CH 40V 3A SOT23-3
IRLZ34PBF
MOSFET N-CH 60V 30A TO220AB
