Tillverkare Produktnummer:
SI7852ADP-T1-GE3
Product Overview
Tillverkare:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Delenummer:
SI7852ADP-T1-GE3-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 80V 30A PPAK SO-8
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 80 V 30A (Tc) 5W (Ta), 62.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventarier:
8624 Pcs Ny Original I Lager
12915441
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
SI7852ADP-T1-GE3 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Vishay
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
80 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
8V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
17mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1825 pF @ 40 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
5W (Ta), 62.5W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PowerPAK® SO-8
Paket / Fodral
PowerPAK® SO-8
Grundläggande produktnummer
SI7852
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
3,000
Andra namn
SI7852ADP-T1-GE3TR
SI7852ADP-T1-GE3DKR
SI7852ADPT1GE3
SI7852ADP-T1-GE3CT
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH info available upon request
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IRFS11N50APBF
MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK
SI7848BDP-T1-E3
MOSFET N-CH 40V 47A PPAK SO-8
SI8402DB-T1-E1
MOSFET N-CH 20V 5.3A 2X2 4-MFP
