Tillverkare Produktnummer:
SI7850ADP-T1-GE3
Product Overview
Tillverkare:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Delenummer:
SI7850ADP-T1-GE3-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 60V 10.3A/12A PPAK
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 60 V 10.3A (Ta), 12A (Tc) 3.6W (Ta), 35.7W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventarier:
7255 Pcs Ny Original I Lager
12914312
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
SI7850ADP-T1-GE3 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Vishay
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET® Gen IV
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
60 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
10.3A (Ta), 12A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
19.5mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.8V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
790 pF @ 30 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
3.6W (Ta), 35.7W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PowerPAK® SO-8
Paket / Fodral
PowerPAK® SO-8
Grundläggande produktnummer
SI7850
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
3,000
Andra namn
SI7850ADP-T1-GE3CT
SI7850ADP-T1-GE3DKR
SI7850ADP-T1-GE3TR
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IXFX52N60Q2
MOSFET N-CH 600V 52A PLUS247-3
IXFN27N80Q
MOSFET N-CH 800V 27A SOT-227B
FMD21-05QC
MOSFET N-CH 500V 21A I4PAC
