SI7850ADP-T1-GE3
Tillverkare Produktnummer:

SI7850ADP-T1-GE3

Product Overview

Tillverkare:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Delenummer:

SI7850ADP-T1-GE3-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 60V 10.3A/12A PPAK
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 60 V 10.3A (Ta), 12A (Tc) 3.6W (Ta), 35.7W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

Inventarier:

7255 Pcs Ny Original I Lager
12914312
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

SI7850ADP-T1-GE3 Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Vishay
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET® Gen IV
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
60 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
10.3A (Ta), 12A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
19.5mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.8V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
790 pF @ 30 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
3.6W (Ta), 35.7W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PowerPAK® SO-8
Paket / Fodral
PowerPAK® SO-8
Grundläggande produktnummer
SI7850

Datablad och dokument

Ytterligare information

Standard-paket
3,000
Andra namn
SI7850ADP-T1-GE3CT
SI7850ADP-T1-GE3DKR
SI7850ADP-T1-GE3TR

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
littelfuse

IXFX52N60Q2

MOSFET N-CH 600V 52A PLUS247-3

littelfuse

IXFN27N80Q

MOSFET N-CH 800V 27A SOT-227B

littelfuse

FMD21-05QC

MOSFET N-CH 500V 21A I4PAC

vishay-siliconix

SI1406DH-T1-E3

MOSFET N-CH 20V 3.1A SC70-6