Hem
Produkter
Tillverkare
Om DiGi
Kontakta oss
Bloggar & Inlägg
RFQ/Offert
Sweden
Logga in
Valfri språk
Aktuellt språk av ditt val:
Sweden
Byt:
Engelska
Europa
Storbritannien
Frankrike
Spanien
Turkiet
Moldavien
Litauen
Norge
Tyskland
Portugal
Slovakien
Italien
Finland
Ryska
Bulgarien
Danmark
Estland
Polen
Ukraina
Slovenien
Tjeckiska
Grekiska
Kroatien
Israel
Serbien
Vitryssland
Nederländerna
Sverige
Montenegro
Baskiska
Island
Bosnien
Ungerska
Rumänien
Österrike
Belgien
Irland
Asien / Stillahavsområdet
Kina
Vietnam
Indonesien
Thailand
Laos
Filipino
Malaysia
Korea
Japan
Hongkong (Hongkong)
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudiarabien
Qatar
Kuwait
Kambodja
Myanmar
Afrika, Indien och Mellanöstern
Förenade Arabemiraten
Tadzjikistan
Madagaskar
Indien
Iran
DR Kongo
Sydafrika
Egypten
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Marocko
Tunisien
Sydamerika / Oceanien
Nya Zeeland
Angola
Brasilien
Moçambique
Peru
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australien
Nordamerika
USA
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mexico
Om DiGi
Om oss
Om oss
Våra certifieringar
DiGi Introduktion
Varför DiGi
Policy
Kvalitetspolicy
Användarvillkor
RoHS-efterlevnad
Returprocess
Resurser
Produktkategorier
Tillverkare
Bloggar & Inlägg
Tjänster
Kvalitetsgaranti
Betalningssätt
Global frakt
Fraktkostnader
Vanliga frågor
Tillverkare Produktnummer:
SI7802DN-T1-GE3
Product Overview
Tillverkare:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Delenummer:
SI7802DN-T1-GE3-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 250V 1.24A PPAK
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 250 V 1.24A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Inventarier:
Förfrågan Online
12913597
Begära offert
Antal
Minst 1
*
Företag
*
Kontakt namn
*
Telefon
*
E-post
Leveransadress
Meddelande
(
*
) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
SI7802DN-T1-GE3 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Vishay
Förpackning
-
Serie
TrenchFET®
Produktens status
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
250 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
1.24A (Ta)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
6V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
435mOhm @ 1.95A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.6V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
21 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
1.5W (Ta)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PowerPAK® 1212-8
Paket / Fodral
PowerPAK® 1212-8
Grundläggande produktnummer
SI7802
Datablad och dokument
Datablad
SI7802DN
Datasheets
SI7802DN-T1-GE3
HTML-Datasheet
SI7802DN-T1-GE3-DG
Ytterligare information
Standard-paket
3,000
Andra namn
SI7802DN-T1-GE3CT
SI7802DN-T1-GE3DKR
SI7802DN-T1-GE3TR
SI7802DNT1GE3
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
AON7458
Tillverkare
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
ANTAL TILLGÄNGLIGT
0
DEL NUMMER
AON7458-DG
ENHETSPRIS
0.18
Ersättnings typ
MFR Recommended
DELNUMMER
BSZ42DN25NS3GATMA1
Tillverkare
Infineon Technologies
ANTAL TILLGÄNGLIGT
23202
DEL NUMMER
BSZ42DN25NS3GATMA1-DG
ENHETSPRIS
0.50
Ersättnings typ
MFR Recommended
DELNUMMER
SI7818DN-T1-E3
Tillverkare
Vishay Siliconix
ANTAL TILLGÄNGLIGT
1154
DEL NUMMER
SI7818DN-T1-E3-DG
ENHETSPRIS
0.56
Ersättnings typ
MFR Recommended
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
SIA426DJ-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 4.5A PPAK SC70-6
IRFU214PBF
MOSFET N-CH 250V 2.2A TO251AA
IRFR9110TRRPBF
MOSFET P-CH 100V 3.1A DPAK
SI4421DY-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 10A 8SO