Tillverkare Produktnummer:
SI7655DN-T1-GE3
Product Overview
Tillverkare:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Delenummer:
SI7655DN-T1-GE3-DG
Beskrivning:
MOSFET P-CH 20V 40A PPAK1212-8S
Detaljerad beskrivning:
P-Channel 20 V 40A (Tc) 4.8W (Ta), 57W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S
Inventarier:
22701 Pcs Ny Original I Lager
12918639
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
SI7655DN-T1-GE3 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Vishay
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Produktens status
Active
FET-typ
P-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
20 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
40A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
2.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
3.6mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.1V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
225 nC @ 10 V
Vgs (max)
±12V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
6600 pF @ 10 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
4.8W (Ta), 57W (Tc)
Drifttemperatur
-50°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PowerPAK® 1212-8S
Paket / Fodral
PowerPAK® 1212-8S
Grundläggande produktnummer
SI7655
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
3,000
Andra namn
SI7655DN-T1-GE3CT
SI7655DN-T1-GE3DKR
SI7655DN-T1-GE3TR
SI7655DNT1GE3
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH info available upon request
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
SQP50P03-07_GE3
MOSFET P-CH 30V 50A TO220AB
SI5440DC-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 6A 1206-8
SIB488DK-T1-GE3
MOSFET N-CH 12V 9A PPAK SC75-6
