Tillverkare Produktnummer:
SI7469DP-T1-GE3
Product Overview
Tillverkare:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Delenummer:
SI7469DP-T1-GE3-DG
Beskrivning:
MOSFET P-CH 80V 28A PPAK SO-8
Detaljerad beskrivning:
P-Channel 80 V 28A (Tc) 5.2W (Ta), 83.3W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventarier:
23990 Pcs Ny Original I Lager
12965139
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
SI7469DP-T1-GE3 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Vishay
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Produktens status
Active
FET-typ
P-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
80 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
28A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
25mOhm @ 10.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
160 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
4700 pF @ 40 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
5.2W (Ta), 83.3W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PowerPAK® SO-8
Paket / Fodral
PowerPAK® SO-8
Grundläggande produktnummer
SI7469
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
3,000
Andra namn
SI7469DP-T1-GE3TR
SI7469DPT1GE3
SI7469DP-T1-GE3DKR
SI7469DP-T1-GE3CT
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
PJQ2410_R1_00001
DFN2020B-6L, MOSFET
SQD40P10-40L_GE3
MOSFET P-CH 100V 38A TO252AA
PJA3406_R1_00001
SOT-23, MOSFET
