SI7455DP-T1-E3
Tillverkare Produktnummer:

SI7455DP-T1-E3

Product Overview

Tillverkare:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Delenummer:

SI7455DP-T1-E3-DG

Beskrivning:

MOSFET P-CH 80V 28A PPAK SO-8
Detaljerad beskrivning:
P-Channel 80 V 28A (Tc) 5.2W (Ta), 83.3W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

Inventarier:

12919542
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

SI7455DP-T1-E3 Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Vishay
Förpackning
-
Serie
TrenchFET®
Produktens status
Active
FET-typ
P-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
80 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
28A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
6V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
25mOhm @ 10.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
155 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
5160 pF @ 40 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
5.2W (Ta), 83.3W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PowerPAK® SO-8
Paket / Fodral
PowerPAK® SO-8
Grundläggande produktnummer
SI7455

Datablad och dokument

Datablad

Ytterligare information

Standard-paket
3,000

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
vishay-siliconix

SIHH27N60EF-T1-GE3

MOSFET N-CH 600V 29A PPAK 8 X 8

vishay-siliconix

SIHF12N60E-E3

MOSFET N-CH 600V 12A TO220

vishay-siliconix

SIRA84BDP-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 22A/70A PPAK SO8

vishay-siliconix

SI7403BDN-T1-E3

MOSFET P-CH 20V 8A PPAK1212-8