Tillverkare Produktnummer:
SI7302DN-T1-GE3
Product Overview
Tillverkare:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Delenummer:
SI7302DN-T1-GE3-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 220V 8.4A PPAK1212-8
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 220 V 8.4A (Tc) 3.8W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Inventarier:
12963273
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
SI7302DN-T1-GE3 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Vishay
Förpackning
-
Serie
TrenchFET®
Produktens status
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
220 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
8.4A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
320mOhm @ 2.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
21 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
645 pF @ 15 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
3.8W (Ta), 52W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PowerPAK® 1212-8
Paket / Fodral
PowerPAK® 1212-8
Grundläggande produktnummer
SI7302
Ytterligare information
Standard-paket
3,000
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
SI3441BDV-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 2.45A 6TSOP
IRLR110TR
MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
NTH4L060N090SC1
SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL
