Tillverkare Produktnummer:
SI7121ADN-T1-GE3
Product Overview
Tillverkare:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Delenummer:
SI7121ADN-T1-GE3-DG
Beskrivning:
MOSFET P-CH 30V 12A PPAK1212-8
Detaljerad beskrivning:
P-Channel 30 V 12A (Ta) 3.5W (Ta), 27.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Inventarier:
9953 Pcs Ny Original I Lager
12920164
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
SI7121ADN-T1-GE3 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Vishay
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Produktens status
Active
FET-typ
P-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
30 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
12A (Ta)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
15mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
50 nC @ 10 V
Vgs (max)
±25V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1870 pF @ 15 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
3.5W (Ta), 27.8W (Tc)
Drifttemperatur
-50°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PowerPAK® 1212-8
Paket / Fodral
PowerPAK® 1212-8
Grundläggande produktnummer
SI7121
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
3,000
Andra namn
SI7121ADN-T1-GE3TR
SI7121ADN-T1-GE3CT
SI7121ADN-T1-GE3DKR
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
SISS70DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 125V 8.5A/31A PPAK
SI5435BDC-T1-E3
MOSFET P-CH 30V 4.3A 1206-8
SI3445DV-T1-GE3
MOSFET P-CH 8V 6TSOP
