Tillverkare Produktnummer:
SI7106DN-T1-E3
Product Overview
Tillverkare:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Delenummer:
SI7106DN-T1-E3-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 20V 12.5A PPAK1212-8
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 20 V 12.5A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Inventarier:
32856 Pcs Ny Original I Lager
12914723
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
BN8J
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
SI7106DN-T1-E3 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Vishay
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
20 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
12.5A (Ta)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
2.5V, 4.5V
rds på (max) @ id, vgs
6.2mOhm @ 19.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
27 nC @ 4.5 V
Vgs (max)
±12V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
1.5W (Ta)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PowerPAK® 1212-8
Paket / Fodral
PowerPAK® 1212-8
Grundläggande produktnummer
SI7106
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
3,000
Andra namn
SI7106DN-T1-E3CT
SI7106DN-T1-E3TR
SI7106DN-T1-E3DKR
SI7106DNT1E3
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH info available upon request
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
SI1031X-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 155MA SC75A
SI1031X-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 155MA SC75A
SI3453DV-T1-GE3
MOSFET P-CHANNEL 30V 3.4A 6TSOP
