Tillverkare Produktnummer:
SI6423DQ-T1-GE3
Product Overview
Tillverkare:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Delenummer:
SI6423DQ-T1-GE3-DG
Beskrivning:
MOSFET P-CH 12V 8.2A 8TSSOP
Detaljerad beskrivning:
P-Channel 12 V 8.2A (Ta) 1.05W (Ta) Surface Mount 8-TSSOP
Inventarier:
8352 Pcs Ny Original I Lager
12954342
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
SI6423DQ-T1-GE3 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Vishay
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Produktens status
Active
FET-typ
P-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
12 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
8.2A (Ta)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
1.8V, 4.5V
rds på (max) @ id, vgs
8.5mOhm @ 9.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
800mV @ 400µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
110 nC @ 5 V
Vgs (max)
±8V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
1.05W (Ta)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
8-TSSOP
Paket / Fodral
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Grundläggande produktnummer
SI6423
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
3,000
Andra namn
SI6423DQ-T1-GE3CT
SI6423DQ-T1-GE3TR
SI6423DQT1GE3
SI6423DQ-T1-GE3DKR
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
SIA467EDJ-T1-GE3
MOSFET P-CH 12V 31A PPAK SC70-6
IRFC230NB
MOSFET 200V 9.3A DIE
SI4401DY-T1-GE3
MOSFET P-CH 40V 8.7A 8SO
