Tillverkare Produktnummer:
SI5903DC-T1-E3
Product Overview
Tillverkare:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Delenummer:
SI5903DC-T1-E3-DG
Beskrivning:
MOSFET 2P-CH 20V 2.1A 1206-8
Detaljerad beskrivning:
Mosfet Array 20V 2.1A 1.1W Surface Mount 1206-8 ChipFET™
Inventarier:
12918143
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
SI5903DC-T1-E3 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, FET, MOSFET-arrayer
Tillverkare
Vishay
Förpackning
-
Serie
TrenchFET®
Produktens status
Obsolete
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 P-Channel (Dual)
FET-funktion
Logic Level Gate
Tömning till källspänning (Vdss)
20V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
2.1A
rds på (max) @ id, vgs
155mOhm @ 2.1A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
600mV @ 250µA (Min)
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
6nC @ 4.5V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
-
Effekt - Max
1.1W
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket / Fodral
8-SMD, Flat Lead
Paket för leverantörsenhet
1206-8 ChipFET™
Grundläggande produktnummer
SI5903
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
3,000
Andra namn
SI5903DCT1E3
SI5903DC-T1-E3CT
SI5903DC-T1-E3TR
SI5903DC-T1-E3DKR
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
SI4501BDY-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 30V/8V 12A 8SOIC
SI5944DU-T1-E3
MOSFET 2N-CH 40V 6A PPAK CHIPFET
SI5908DC-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 20V 4.4A 1206-8