Tillverkare Produktnummer:
SI5499DC-T1-GE3
Product Overview
Tillverkare:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Delenummer:
SI5499DC-T1-GE3-DG
Beskrivning:
MOSFET P-CH 8V 6A 1206-8 CHIPFET
Detaljerad beskrivning:
P-Channel 8 V 6A (Tc) 2.5W (Ta), 6.2W (Tc) Surface Mount 1206-8 ChipFET™
Inventarier:
12919915
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
SI5499DC-T1-GE3 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Vishay
Förpackning
-
Serie
TrenchFET®
Produktens status
Obsolete
FET-typ
P-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
8 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
1.5V, 4.5V
rds på (max) @ id, vgs
36mOhm @ 5.1A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
800mV @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
35 nC @ 8 V
Vgs (max)
±5V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1290 pF @ 4 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
2.5W (Ta), 6.2W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
1206-8 ChipFET™
Paket / Fodral
8-SMD, Flat Lead
Grundläggande produktnummer
SI5499
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
3,000
Andra namn
SI5499DC-T1-GE3TR
SI5499DC-T1-GE3CT
SI5499DC-T1-GE3DKR
SI5499DCT1GE3
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
SI5471DC-T1-GE3
Tillverkare
Vishay Siliconix
ANTAL TILLGÄNGLIGT
16150
DEL NUMMER
SI5471DC-T1-GE3-DG
ENHETSPRIS
0.22
Ersättnings typ
MFR Recommended
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
SI8472DB-T2-E1
MOSFET N-CH 20V 4MICRO FOOT
SIA425EDJ-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 4.5A PPAK SC70-6
SI7120DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 6.3A 1212-8
