Tillverkare Produktnummer:
SI5402DC-T1-GE3
Product Overview
Tillverkare:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Delenummer:
SI5402DC-T1-GE3-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 30 V 4.9A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount 1206-8 ChipFET™
Inventarier:
12915701
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
SI5402DC-T1-GE3 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Vishay
Förpackning
-
Serie
TrenchFET®
Produktens status
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
30 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
4.9A (Ta)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
35mOhm @ 4.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA (Min)
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
1.3W (Ta)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
1206-8 ChipFET™
Paket / Fodral
8-SMD, Flat Lead
Grundläggande produktnummer
SI5402
Ytterligare information
Standard-paket
3,000
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
SUM110N04-2M3L-E3
MOSFET N-CH 40V 110A TO263
BUK6607-55C,118
MOSFET N-CH 55V 100A D2PAK
SI5447DC-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 3.5A 1206-8
