SI4447ADY-T1-GE3
Tillverkare Produktnummer:

SI4447ADY-T1-GE3

Product Overview

Tillverkare:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Delenummer:

SI4447ADY-T1-GE3-DG

Beskrivning:

MOSFET P-CH 40V 7.2A 8SO
Detaljerad beskrivning:
P-Channel 40 V 7.2A (Tc) 4.2W (Tc) Surface Mount 8-SOIC

Inventarier:

9014 Pcs Ny Original I Lager
12920613
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

SI4447ADY-T1-GE3 Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Vishay
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Produktens status
Active
FET-typ
P-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
40 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
7.2A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
45mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
970 pF @ 20 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
4.2W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
8-SOIC
Paket / Fodral
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Grundläggande produktnummer
SI4447

Datablad och dokument

Ytterligare information

Standard-paket
2,500
Andra namn
SI4447ADY-T1-GE3TR
SI4447ADY-T1-GE3CT
SI4447ADY-T1-GE3DKR
SI4447ADY-T1-GE3-DG

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
vishay-siliconix

SUD70090E-GE3

MOSFET N-CH 100V 50A TO252

vishay-siliconix

SI2327DS-T1-GE3

MOSFET P-CH 200V 380MA SOT23-3

vishay-siliconix

SI8465DB-T2-E1

MOSFET P-CH 20V 4MICROFOOT

vishay-siliconix

SQ2361ES-T1_GE3

MOSFET P-CH 60V 2.8A SSOT23