Tillverkare Produktnummer:
SI4425BDY-T1-GE3
Product Overview
Tillverkare:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Delenummer:
SI4425BDY-T1-GE3-DG
Beskrivning:
MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SO
Detaljerad beskrivning:
P-Channel 30 V 8.8A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Inventarier:
2662 Pcs Ny Original I Lager
12915099
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
SI4425BDY-T1-GE3 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Vishay
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Produktens status
Active
FET-typ
P-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
30 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
8.8A (Ta)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
12mOhm @ 11.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
100 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
1.5W (Ta)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
8-SOIC
Paket / Fodral
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Grundläggande produktnummer
SI4425
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
2,500
Andra namn
SI4425BDY-T1-GE3TR
SI4425BDY-T1-GE3DKR
SI4425BDY-T1-GE3CT
SI4425BDY-T1-GE3-DG
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH info available upon request
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
SI2333CDS-T1-E3
MOSFET P-CH 12V 7.1A SOT23-3
SI4156DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 24A 8SO
SI7113DN-T1-E3
MOSFET P-CH 100V 13.2A PPAK
