Tillverkare Produktnummer:
SI4420BDY-T1-E3
Product Overview
Tillverkare:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Delenummer:
SI4420BDY-T1-E3-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 30V 9.5A 8SO
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 30 V 9.5A (Ta) 1.4W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Inventarier:
2500 Pcs Ny Original I Lager
12915839
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
SI4420BDY-T1-E3 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Vishay
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
30 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
9.5A (Ta)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
8.5mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
50 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
1.4W (Ta)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
8-SOIC
Paket / Fodral
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Grundläggande produktnummer
SI4420
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
2,500
Andra namn
SI4420BDYT1E3
SI4420BDY-T1-E3DKR
SI4420BDY-T1-E3TR
SI4420BDY-T1-E3CT
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
SUD50N03-06P-E3
MOSFET N-CH 30V 84A TO252
SQA403EJ-T1_GE3
MOSFET P-CH 30V 10A PPAK SC70-6
SQD70140EL_GE3
MOSFET N-CH 100V 30A TO252AA
