Tillverkare Produktnummer:
SI4403CDY-T1-GE3
Product Overview
Tillverkare:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Delenummer:
SI4403CDY-T1-GE3-DG
Beskrivning:
MOSFET P-CH 20V 13.4A 8SO
Detaljerad beskrivning:
P-Channel 20 V 13.4A (Tc) 5W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
Inventarier:
20690 Pcs Ny Original I Lager
12912563
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
SI4403CDY-T1-GE3 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Vishay
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Produktens status
Active
FET-typ
P-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
20 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
13.4A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
1.8V, 4.5V
rds på (max) @ id, vgs
15.5mOhm @ 9A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
90 nC @ 8 V
Vgs (max)
±8V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2380 pF @ 10 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
5W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
8-SOIC
Paket / Fodral
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Grundläggande produktnummer
SI4403
Datablad och dokument
Produkt Ritningar
Datablad
Datasheets
HTML-Datasheet
Ytterligare information
Standard-paket
2,500
Andra namn
SI4403CDY-T1-GE3TR
SI4403CDY-T1-GE3-DG
SI4403CDY-T1-GE3CT
SI4403CDY-T1-GE3DKR
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IRFPC48
MOSFET N-CH 600V 8.9A TO247-3
SI7156DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8
IRFR210TRPBF
MOSFET N-CH 200V 2.6A DPAK
