Tillverkare Produktnummer:
SI4190ADY-T1-GE3
Product Overview
Tillverkare:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Delenummer:
SI4190ADY-T1-GE3-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 100V 18.4A 8SO
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 100 V 18.4A (Tc) 3W (Ta), 6W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
Inventarier:
12919218
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
ugPC
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
SI4190ADY-T1-GE3 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Vishay
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
100 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
18.4A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
8.8mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.8V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
67 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1970 pF @ 50 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
3W (Ta), 6W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
8-SOIC
Paket / Fodral
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Grundläggande produktnummer
SI4190
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
2,500
Andra namn
SI4190ADY-T1-GE3DKR
SI4190ADY-T1-GE3TR
SI4190ADYT1GE3
SI4190ADY-T1-GE3CT
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
RS3L045GNGZETB
Tillverkare
Rohm Semiconductor
ANTAL TILLGÄNGLIGT
1173
DEL NUMMER
RS3L045GNGZETB-DG
ENHETSPRIS
0.25
Ersättnings typ
MFR Recommended
DELNUMMER
RS1L145GNTB
Tillverkare
Rohm Semiconductor
ANTAL TILLGÄNGLIGT
1003
DEL NUMMER
RS1L145GNTB-DG
ENHETSPRIS
0.81
Ersättnings typ
MFR Recommended
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
SUM70060E-GE3
MOSFET N-CH 100V 131A TO263
SUP60N10-18P-E3
MOSFET N-CH 100V 60A TO220AB
SIHD6N65ET1-GE3
MOSFET N-CH 650V 7A TO252AA
