SI3585CDV-T1-GE3
Tillverkare Produktnummer:

SI3585CDV-T1-GE3

Product Overview

Tillverkare:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Delenummer:

SI3585CDV-T1-GE3-DG

Beskrivning:

MOSFET N/P-CH 20V 3.9A 6TSOP
Detaljerad beskrivning:
Mosfet Array 20V 3.9A, 2.1A 1.4W, 1.3W Surface Mount 6-TSOP

Inventarier:

13694 Pcs Ny Original I Lager
12918263
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

SI3585CDV-T1-GE3 Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, FET, MOSFET-arrayer
Tillverkare
Vishay
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Produktens status
Active
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
N and P-Channel
FET-funktion
Logic Level Gate
Tömning till källspänning (Vdss)
20V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
3.9A, 2.1A
rds på (max) @ id, vgs
58mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
4.8nC @ 10V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
150pF @ 10V
Effekt - Max
1.4W, 1.3W
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket / Fodral
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Paket för leverantörsenhet
6-TSOP
Grundläggande produktnummer
SI3585

Datablad och dokument

Datablad
SI3585CDV-T1-GE3
Datasheets
SI3585CDV-T1-GE3
HTML-Datasheet
SI3585CDV-T1-GE3-DG

Ytterligare information

Standard-paket
3,000
Andra namn
SI3585CDV-T1-GE3-DG
SI3585CDV-T1-GE3TR
SI3585CDV-T1-GE3CT
SI3585CDV-T1-GE3DKR

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterade produkter
vishay-siliconix

SQJ560EP-T1_GE3

MOSFET N/P-CH 60V 30A PPAK SO8

vishay-siliconix

SIA914DJ-T1-E3

MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6

vishay-siliconix

SI4330DY-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 30V 6.6A 8SOIC

vishay-siliconix

SI3588DV-T1-GE3

MOSFET N/P-CH 20V 2.5A 6-TSOP