Tillverkare Produktnummer:
SI3443DDV-T1-GE3
Product Overview
Tillverkare:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Delenummer:
SI3443DDV-T1-GE3-DG
Beskrivning:
MOSFET P-CH 20V 4A/5.3A 6TSOP
Detaljerad beskrivning:
P-Channel 20 V 4A (Ta), 5.3A (Tc) 1.7W (Ta), 2.7W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
Inventarier:
13976 Pcs Ny Original I Lager
12916689
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
SI3443DDV-T1-GE3 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Vishay
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Produktens status
Active
FET-typ
P-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
20 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
4A (Ta), 5.3A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
2.5V, 4.5V
rds på (max) @ id, vgs
47mOhm @ 4.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
30 nC @ 8 V
Vgs (max)
±12V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
970 pF @ 10 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
1.7W (Ta), 2.7W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
6-TSOP
Paket / Fodral
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Grundläggande produktnummer
SI3443
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
3,000
Andra namn
SI3443DDV-T1-GE3DKR
SI3443DDV-T1-GE3CT
SI3443DDV-T1-GE3TR
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IXFK170N10P
MOSFET N-CH 100V 170A TO264AA
SQJ422EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 40V 74A PPAK SO-8
SIHD2N80AE-GE3
MOSFET N-CH 800V 2.9A DPAK
