Tillverkare Produktnummer:
SI3442BDV-T1-GE3
Product Overview
Tillverkare:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Delenummer:
SI3442BDV-T1-GE3-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 20V 3A 6TSOP
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 20 V 3A (Ta) 860mW (Ta) Surface Mount 6-TSOP
Inventarier:
12917462
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
SI3442BDV-T1-GE3 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Vishay
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
20 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
3A (Ta)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
2.5V, 4.5V
rds på (max) @ id, vgs
57mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.8V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
5 nC @ 4.5 V
Vgs (max)
±12V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
295 pF @ 10 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
860mW (Ta)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
6-TSOP
Paket / Fodral
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Grundläggande produktnummer
SI3442
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
3,000
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.21.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
SI3442BDV-T1-E3
Tillverkare
Vishay Siliconix
ANTAL TILLGÄNGLIGT
26929
DEL NUMMER
SI3442BDV-T1-E3-DG
ENHETSPRIS
0.17
Ersättnings typ
Parametric Equivalent
DELNUMMER
SI3442BDV-T1-BE3
Tillverkare
Vishay Siliconix
ANTAL TILLGÄNGLIGT
1507
DEL NUMMER
SI3442BDV-T1-BE3-DG
ENHETSPRIS
0.17
Ersättnings typ
Parametric Equivalent
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
SIR406DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 25V 40A PPAK SO-8
SI3433BDV-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 4.3A 6TSOP
SQJ886EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
