Tillverkare Produktnummer:
SI2336DS-T1-BE3
Product Overview
Tillverkare:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Delenummer:
SI2336DS-T1-BE3-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 30V 4.3A/5.2A SOT23
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 30 V 4.3A (Ta), 5.2A (Tc) 1.25W (Ta), 1.8W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Inventarier:
7444 Pcs Ny Original I Lager
12939268
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
SI2336DS-T1-BE3 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Vishay
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
30 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
4.3A (Ta), 5.2A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
1.8V, 4.5V
rds på (max) @ id, vgs
42mOhm @ 3.8A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC @ 8 V
Vgs (max)
±8V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
560 pF @ 15 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
1.25W (Ta), 1.8W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
SOT-23-3 (TO-236)
Paket / Fodral
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Grundläggande produktnummer
SI2336
Datablad och dokument
Datasheets
HTML-Datasheet
Ytterligare information
Standard-paket
3,000
Andra namn
742-SI2336DS-T1-BE3DKR
742-SI2336DS-T1-BE3CT
742-SI2336DS-T1-BE3TR
Miljö- och exportklassificering
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
SI3443BDV-T1-BE3
MOSFET P-CH 20V 3.6A 6TSOP
SQ2361ES-T1_BE3
MOSFET P-CH 60V 2.8A SOT23-3
SQ2309ES-T1_BE3
MOSFET P-CH 60V 1.7A SOT23-3