SI2333DDS-T1-BE3

Tillverkare Produktnummer:

SI2333DDS-T1-BE3

Product Overview

Tillverkare:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Delenummer:

SI2333DDS-T1-BE3-DG

Beskrivning:

P-CHANNEL 12-V (D-S) MOSFET

Detaljerad beskrivning:

P-Channel 12 V 5A (Ta), 6A (Tc) 1.2W (Ta), 1.7W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

Inventarier:

5801 Pcs Ny Original I Lager

12977817

Begära offert

Antal
Minst 1

(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar

SKICKA

SI2333DDS-T1-BE3 Tekniska specifikationer

Kategori

FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er

Tillverkare

Vishay

Förpackning

Tape & Reel (TR)

Serie

-

Produktens status

Active

FET-typ

P-Channel

Teknik

MOSFET (Metal Oxide)

Tömning till källspänning (Vdss)

12 V

Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C

5A (Ta), 6A (Tc)

Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)

1.5V, 4.5V

rds på (max) @ id, vgs

28mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs

35 nC @ 8 V

Vgs (max)

±8V

Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds

1275 pF @ 6 V

FET-funktion

-

Effektförlust (max)

1.2W (Ta), 1.7W (Tc)

Drifttemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Typ av montering

Surface Mount

Paket för leverantörsenhet

SOT-23-3 (TO-236)

Paket / Fodral

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Datablad och dokument

Datablad

Ytterligare information

Standard-paket

3,000

Andra namn

742-SI2333DDS-T1-BE3TR

Miljö- och exportklassificering

Känslighetsnivå för fukt (MSL)

1 (Unlimited)

ECCN (ECCN)

EAR99

HTSUS (HTSUS)

8541.29.0095

DIGI Certifiering

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Relaterade produkter

vishay-siliconix

SIHA21N60EF-GE3

N-CHANNEL 600V

vishay-siliconix

SIHFR9220-GE3

MOSFET P-CHANNEL 200V

vishay-siliconix

SI2347DS-T1-BE3

P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET

vishay-siliconix

SQJ407EP-T1_BE3

P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET