Tillverkare Produktnummer:
SI2333CDS-T1-GE3
Product Overview
Tillverkare:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Delenummer:
SI2333CDS-T1-GE3-DG
Beskrivning:
MOSFET P-CH 12V 7.1A SOT23-3
Detaljerad beskrivning:
P-Channel 12 V 7.1A (Tc) 1.25W (Ta), 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Inventarier:
13719 Pcs Ny Original I Lager
12913968
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
SI2333CDS-T1-GE3 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Vishay
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Produktens status
Active
FET-typ
P-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
12 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
7.1A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
1.8V, 4.5V
rds på (max) @ id, vgs
35mOhm @ 5.1A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
25 nC @ 4.5 V
Vgs (max)
±8V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1225 pF @ 6 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
SOT-23-3 (TO-236)
Paket / Fodral
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Grundläggande produktnummer
SI2333
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
3,000
Andra namn
SI2333CDS-T1-GE3TR
SI2333CDS-T1-GE3DKR
SI2333CDST1GE3
SI2333CDS-T1-GE3CT
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IRFIZ34G
MOSFET N-CH 60V 20A TO220-3
IRFI740G
MOSFET N-CH 400V 5.4A TO220-3
IRFU9214
MOSFET P-CH 250V 2.7A TO251AA
