Hem
Produkter
Tillverkare
Om DiGi
Kontakta oss
Bloggar & Inlägg
RFQ/Offert
Sweden
Logga in
Valfri språk
Aktuellt språk av ditt val:
Sweden
Byt:
Engelska
Europa
Storbritannien
Frankrike
Spanien
Turkiet
Moldavien
Litauen
Norge
Tyskland
Portugal
Slovakien
Italien
Finland
Ryska
Bulgarien
Danmark
Estland
Polen
Ukraina
Slovenien
Tjeckiska
Grekiska
Kroatien
Israel
Serbien
Vitryssland
Nederländerna
Sverige
Montenegro
Baskiska
Island
Bosnien
Ungerska
Rumänien
Österrike
Belgien
Irland
Asien / Stillahavsområdet
Kina
Vietnam
Indonesien
Thailand
Laos
Filipino
Malaysia
Korea
Japan
Hongkong (Hongkong)
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudiarabien
Qatar
Kuwait
Kambodja
Myanmar
Afrika, Indien och Mellanöstern
Förenade Arabemiraten
Tadzjikistan
Madagaskar
Indien
Iran
DR Kongo
Sydafrika
Egypten
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Marocko
Tunisien
Sydamerika / Oceanien
Nya Zeeland
Angola
Brasilien
Moçambique
Peru
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australien
Nordamerika
USA
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mexico
Om DiGi
Om oss
Om oss
Våra certifieringar
DiGi Introduktion
Varför DiGi
Policy
Kvalitetspolicy
Användarvillkor
RoHS-efterlevnad
Returprocess
Resurser
Produktkategorier
Tillverkare
Bloggar & Inlägg
Tjänster
Kvalitetsgaranti
Betalningssätt
Global frakt
Fraktkostnader
Vanliga frågor
Tillverkare Produktnummer:
SI2333CDS-T1-GE3
Product Overview
Tillverkare:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Delenummer:
SI2333CDS-T1-GE3-DG
Beskrivning:
MOSFET P-CH 12V 7.1A SOT23-3
Detaljerad beskrivning:
P-Channel 12 V 7.1A (Tc) 1.25W (Ta), 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Inventarier:
13719 Pcs Ny Original I Lager
12913968
Begära offert
Antal
Minst 1
*
Företag
*
Kontakt namn
*
Telefon
*
E-post
Leveransadress
Meddelande
(
*
) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
SI2333CDS-T1-GE3 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Vishay
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Produktens status
Active
FET-typ
P-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
12 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
7.1A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
1.8V, 4.5V
rds på (max) @ id, vgs
35mOhm @ 5.1A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
25 nC @ 4.5 V
Vgs (max)
±8V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1225 pF @ 6 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
SOT-23-3 (TO-236)
Paket / Fodral
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Grundläggande produktnummer
SI2333
Datablad och dokument
Datablad
Si2333CDS
Datasheets
SI2333CDS-T1-GE3
HTML-Datasheet
SI2333CDS-T1-GE3-DG
Ytterligare information
Standard-paket
3,000
Andra namn
SI2333CDS-T1-GE3TR
SI2333CDS-T1-GE3DKR
SI2333CDST1GE3
SI2333CDS-T1-GE3CT
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IRFIZ34G
MOSFET N-CH 60V 20A TO220-3
IRFI740G
MOSFET N-CH 400V 5.4A TO220-3
IRFU9214
MOSFET P-CH 250V 2.7A TO251AA
SI4684DY-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 16A 8SO