Tillverkare Produktnummer:
SI2323DDS-T1-BE3
Product Overview
Tillverkare:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Delenummer:
SI2323DDS-T1-BE3-DG
Beskrivning:
P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Detaljerad beskrivning:
P-Channel 20 V 4.1A (Ta), 5.3A (Tc) 960mW (Ta), 1.7W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Inventarier:
12977872
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
SI2323DDS-T1-BE3 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Vishay
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Produktens status
Active
FET-typ
P-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
20 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
4.1A (Ta), 5.3A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
1.8V, 4.5V
rds på (max) @ id, vgs
39mOhm @ 4.1A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
36 nC @ 8 V
Vgs (max)
±8V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1160 pF @ 10 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
960mW (Ta), 1.7W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
SOT-23-3 (TO-236)
Paket / Fodral
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Datablad och dokument
Datablad
Ytterligare information
Standard-paket
3,000
Andra namn
742-SI2323DDS-T1-BE3CT
742-SI2323DDS-T1-BE3TR
742-SI2323DDS-T1-BE3DKR
Miljö- och exportklassificering
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.21.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
SIHB120N60E-T5-GE3
N-CHANNEL 600V
SI2307BDS-T1-BE3
P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
SI3464DV-T1-BE3
N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
