SI2312BDS-T1-BE3
Tillverkare Produktnummer:

SI2312BDS-T1-BE3

Product Overview

Tillverkare:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Delenummer:

SI2312BDS-T1-BE3-DG

Beskrivning:

N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 20 V 3.9A (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

Inventarier:

8986 Pcs Ny Original I Lager
12977847
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

SI2312BDS-T1-BE3 Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Vishay
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
20 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
3.9A (Ta)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
1.8V, 4.5V
rds på (max) @ id, vgs
31mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
850mV @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
12 nC @ 4.5 V
Vgs (max)
±8V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
750mW (Ta)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
SOT-23-3 (TO-236)
Paket / Fodral
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Datablad och dokument

Datablad
Si2312BDS

Ytterligare information

Standard-paket
3,000
Andra namn
742-SI2312BDS-T1-BE3TR
742-SI2312BDS-T1-BE3DKR
742-SI2312BDS-T1-BE3CT

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.21.0095
DIGI Certifiering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterade produkter
vishay-siliconix

SIHD14N60ET5-GE3

N-CHANNEL 600V

vishay-siliconix

SQJ850EP-T2_GE3

N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

vishay-siliconix

SIHP15N50E-BE3

N-CHANNEL 500V

vishay-siliconix

SI2366DS-T1-BE3

N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET