SI1902DL-T1-E3
Tillverkare Produktnummer:

SI1902DL-T1-E3

Product Overview

Tillverkare:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Delenummer:

SI1902DL-T1-E3-DG

Beskrivning:

MOSFET 2N-CH 20V 0.66A SC70-6
Detaljerad beskrivning:
Mosfet Array 20V 660mA 270mW Surface Mount SC-70-6

Inventarier:

34190 Pcs Ny Original I Lager
12915734
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

SI1902DL-T1-E3 Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, FET, MOSFET-arrayer
Tillverkare
Vishay
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Produktens status
Active
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 N-Channel (Dual)
FET-funktion
Logic Level Gate
Tömning till källspänning (Vdss)
20V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
660mA
rds på (max) @ id, vgs
385mOhm @ 660mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
1.2nC @ 4.5V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
-
Effekt - Max
270mW
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket / Fodral
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Paket för leverantörsenhet
SC-70-6
Grundläggande produktnummer
SI1902

Datablad och dokument

Datablad
Datasheets
HTML-Datasheet

Ytterligare information

Standard-paket
3,000
Andra namn
SI1902DL-T1-E3DKR
SI1902DL-T1-E3TR
SI1902DLT1E3
SI1902DL-T1-E3CT

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.21.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
vishay-siliconix

SI3552DV-T1-GE3

MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6TSOP

vishay-siliconix

SI7844DP-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 30V 6.4A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SI4914BDY-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 30V 8.4A/8A 8SOIC

vishay-siliconix

SQJ202EP-T1_GE3

MOSFET 2N-CH 12V 20A PPAK SO8