Tillverkare Produktnummer:
SI1902DL-T1-E3
Product Overview
Tillverkare:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Delenummer:
SI1902DL-T1-E3-DG
Beskrivning:
MOSFET 2N-CH 20V 0.66A SC70-6
Detaljerad beskrivning:
Mosfet Array 20V 660mA 270mW Surface Mount SC-70-6
Inventarier:
34190 Pcs Ny Original I Lager
12915734
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
SI1902DL-T1-E3 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, FET, MOSFET-arrayer
Tillverkare
Vishay
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Produktens status
Active
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 N-Channel (Dual)
FET-funktion
Logic Level Gate
Tömning till källspänning (Vdss)
20V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
660mA
rds på (max) @ id, vgs
385mOhm @ 660mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
1.2nC @ 4.5V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
-
Effekt - Max
270mW
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket / Fodral
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Paket för leverantörsenhet
SC-70-6
Grundläggande produktnummer
SI1902
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
3,000
Andra namn
SI1902DL-T1-E3DKR
SI1902DL-T1-E3TR
SI1902DLT1E3
SI1902DL-T1-E3CT
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.21.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
SI3552DV-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6TSOP
SI7844DP-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 6.4A PPAK SO-8
SI4914BDY-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 8.4A/8A 8SOIC
