SI1480DH-T1-BE3
Tillverkare Produktnummer:

SI1480DH-T1-BE3

Product Overview

Tillverkare:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Delenummer:

SI1480DH-T1-BE3-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 100V 2.1A/2.6A SC70
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 100 V 2.1A (Ta), 2.6A (Tc) 1.5W (Ta), 2.8W (Tc) Surface Mount SC-70-6

Inventarier:

12945873
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

SI1480DH-T1-BE3 Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Vishay
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
100 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
2.1A (Ta), 2.6A (Tc)
rds på (max) @ id, vgs
200mOhm @ 1.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
5 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
130 pF @ 50 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
1.5W (Ta), 2.8W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
SC-70-6
Paket / Fodral
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Grundläggande produktnummer
SI1480

Datablad och dokument

Datablad
Datasheets
HTML-Datasheet

Ytterligare information

Standard-paket
3,000
Andra namn
742-SI1480DH-T1-BE3TR

Miljö- och exportklassificering

Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
vishay-siliconix

IRFR014TRLPBF-BE3

MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK

vishay-siliconix

IRFBC40LCPBF-BE3

MOSFET N-CH 600V 6.2A TO220AB

vishay-siliconix

SI1403BDL-T1-BE3

MOSFET P-CH 20V 1.4A SC70-6

vishay-siliconix

SI1427EDH-T1-BE3

MOSFET P-CH 20V 2A/2A SC70-6