Tillverkare Produktnummer:
SI1026X-T1-GE3
Product Overview
Tillverkare:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Delenummer:
SI1026X-T1-GE3-DG
Beskrivning:
MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SC89
Detaljerad beskrivning:
Mosfet Array 60V 305mA 250mW Surface Mount SC-89 (SOT-563F)
Inventarier:
292563 Pcs Ny Original I Lager
12916877
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
SI1026X-T1-GE3 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, FET, MOSFET-arrayer
Tillverkare
Vishay
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Produktens status
Active
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 N-Channel (Dual)
FET-funktion
Logic Level Gate
Tömning till källspänning (Vdss)
60V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
305mA
rds på (max) @ id, vgs
1.4Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
0.6nC @ 4.5V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
30pF @ 25V
Effekt - Max
250mW
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket / Fodral
SOT-563, SOT-666
Paket för leverantörsenhet
SC-89 (SOT-563F)
Grundläggande produktnummer
SI1026
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
3,000
Andra namn
SI1026X-T1-GE3DKR
SI1026XT1GE3
SI1026X-T1-GE3CT
SI1026X-T1-GE3TR
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.21.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
SI3586DV-T1-E3
MOSFET N/P-CH 20V 2.9A 6TSOP
SI7940DP-T1-E3
MOSFET 2N-CH 12V 7.6A PPAK SO8
SIZ728DT-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 25V 16A 6PWRPAIR
