Tillverkare Produktnummer:
SI1012R-T1-GE3
Product Overview
Tillverkare:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Delenummer:
SI1012R-T1-GE3-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 20V 500MA SC75A
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 20 V 500mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount SC-75A
Inventarier:
166982 Pcs Ny Original I Lager
12912998
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
SI1012R-T1-GE3 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Vishay
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
20 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
500mA (Ta)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
1.8V, 4.5V
rds på (max) @ id, vgs
700mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
900mV @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
0.75 nC @ 4.5 V
Vgs (max)
±6V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
150mW (Ta)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
SC-75A
Paket / Fodral
SC-75, SOT-416
Grundläggande produktnummer
SI1012
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
3,000
Andra namn
SI1012R-T1-GE3DKR
SI1012RT1GE3
SI1012R-T1-GE3TR
SI1012R-T1-GE3CT
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.21.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IRFPF30PBF
MOSFET N-CH 900V 3.6A TO247-3
IRFU9110
MOSFET P-CH 100V 3.1A TO251AA
IRL630
MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB
