Tillverkare Produktnummer:
IRLI630GPBF
Product Overview
Tillverkare:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Delenummer:
IRLI630GPBF-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 200V 6.2A TO220-3
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 200 V 6.2A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventarier:
991 Pcs Ny Original I Lager
12914080
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IRLI630GPBF Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Vishay
Förpackning
Tube
Serie
-
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
200 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
6.2A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4V, 5V
rds på (max) @ id, vgs
400mOhm @ 3.7A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (max)
±10V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1100 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
35W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-220-3
Paket / Fodral
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Grundläggande produktnummer
IRLI630
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
50
Andra namn
*IRLI630GPBF
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
SI4894BDY-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 8.9A 8SO
SI4425BDY-T1-E3
MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SO
SI4401DY-T1-E3
MOSFET P-CH 40V 8.7A 8SO
