IRL3502L
Tillverkare Produktnummer:

IRL3502L

Product Overview

Tillverkare:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Delenummer:

IRL3502L-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 20V 110A TO262-3
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 20 V 110A (Tc) 140W (Tc) Through Hole TO-262-3

Inventarier:

Förfrågan Online
12914176
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

IRL3502L Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Vishay
Förpackning
-
Serie
-
Produktens status
Discontinued at Digi-Key
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
20 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
110A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 7V
rds på (max) @ id, vgs
7mOhm @ 64A, 7V
Vgs(th) (Max) @ Id
700mV @ 250µA (Min)
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
110 nC @ 4.5 V
Vgs (max)
±10V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
4700 pF @ 15 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
140W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-262-3
Paket / Fodral
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Grundläggande produktnummer
IRL3502

Ytterligare information

Standard-paket
50
Andra namn
*IRL3502L

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
RoHS non-compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterade produkter
vishay-siliconix

SI7111EDN-T1-GE3

MOSFET P-CH 30V 60A PPAK1212-8

littelfuse

IXFX48N60P

MOSFET N-CH 600V 48A PLUS247-3

vishay-siliconix

SI8435DB-T1-E1

MOSFET P-CH 20V 10A 4MICROFOOT

vishay-siliconix

IRFL210

MOSFET N-CH 200V 960MA SOT223