IRFSL11N50APBF
Tillverkare Produktnummer:

IRFSL11N50APBF

Product Overview

Tillverkare:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Delenummer:

IRFSL11N50APBF-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 500V 11A TO262-3
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 500 V 11A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-262-3

Inventarier:

Förfrågan Online
12961241
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

IRFSL11N50APBF Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Vishay
Förpackning
Tube
Serie
-
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
500 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
550mOhm @ 6.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
51 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1426 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
190W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-262-3
Paket / Fodral
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Grundläggande produktnummer
IRFSL11

Ytterligare information

Standard-paket
1,000
Andra namn
*IRFSL11N50APBF

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterade produkter
vishay-siliconix

SIRA00DP-T1-RE3

MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SIA485DJ-T1-GE3

MOSFET P-CH 150V 1.6A PPAK SC70

vishay-siliconix

SUD25N15-52-E3

MOSFET N-CH 150V 25A TO252

vishay-siliconix

SI7440DP-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8