IRFR120TRRPBF-BE3
Tillverkare Produktnummer:

IRFR120TRRPBF-BE3

Product Overview

Tillverkare:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Delenummer:

IRFR120TRRPBF-BE3-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 100 V 7.7A (Tc) 2.5W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount TO-252AA

Inventarier:

1095 Pcs Ny Original I Lager
12945857
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

IRFR120TRRPBF-BE3 Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Vishay
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
100 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
7.7A (Tc)
rds på (max) @ id, vgs
270mOhm @ 4.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
16 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
360 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
2.5W (Ta), 42W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
TO-252AA
Paket / Fodral
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Grundläggande produktnummer
IRFR120

Datablad och dokument

Datablad
IRFR120, IRFU120, SiHFR120, SiHFU120
Datasheets
IRFR120TRRPBF-BE3
HTML-Datasheet
IRFR120TRRPBF-BE3-DG

Ytterligare information

Standard-paket
3,000
Andra namn
742-IRFR120TRRPBF-BE3CT
742-IRFR120TRRPBF-BE3TR

Miljö- och exportklassificering

Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterade produkter
vishay-siliconix

IRFZ20PBF-BE3

MOSFET N-CH 50V 15A TO220AB

vishay-siliconix

IRF820APBF-BE3

MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220AB

vishay-siliconix

IRFR210TRPBF-BE3

MOSFET N-CH 200V 2.6A DPAK

vishay-siliconix

IRF644PBF-BE3

MOSFET N-CH 250V 14A TO220AB