Tillverkare Produktnummer:
IRFPF40PBF
Product Overview
Tillverkare:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Delenummer:
IRFPF40PBF-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 900V 4.7A TO247-3
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 900 V 4.7A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-247AC
Inventarier:
278 Pcs Ny Original I Lager
12913382
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IRFPF40PBF Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Vishay
Förpackning
Tube
Serie
-
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
900 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
4.7A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
2.5Ohm @ 2.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
120 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1600 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
150W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-247AC
Paket / Fodral
TO-247-3
Grundläggande produktnummer
IRFPF40
Datablad och dokument
Datasheets
HTML-Datasheet
Ytterligare information
Standard-paket
25
Andra namn
*IRFPF40PBF
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
SI3407DV-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 8A 6TSOP
SI7108DN-T1-E3
MOSFET N-CH 20V 14A PPAK1212-8
SI7613DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8
