Tillverkare Produktnummer:
IRFP22N50APBF
Product Overview
Tillverkare:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Delenummer:
IRFP22N50APBF-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 500V 22A TO247-3
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 500 V 22A (Tc) 277W (Tc) Through Hole TO-247AC
Inventarier:
1827 Pcs Ny Original I Lager
12960003
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IRFP22N50APBF Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Vishay
Förpackning
Tube
Serie
-
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
500 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
22A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
230mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
120 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3450 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
277W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-247AC
Paket / Fodral
TO-247-3
Grundläggande produktnummer
IRFP22
Ytterligare information
Standard-paket
25
Andra namn
*IRFP22N50APBF
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
STWA60N099DM9AG
MOSFET N-CH 600V 29A TO247
SQS180ELNW-T1_GE3
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
SI2314EDS-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 3.77A SOT23-3
