Tillverkare Produktnummer:
IRFI9630GPBF
Product Overview
Tillverkare:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Delenummer:
IRFI9630GPBF-DG
Beskrivning:
MOSFET P-CH 200V 4.3A TO220-3
Detaljerad beskrivning:
P-Channel 200 V 4.3A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventarier:
2043 Pcs Ny Original I Lager
12911602
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IRFI9630GPBF Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Vishay
Förpackning
Tube
Serie
-
Produktens status
Active
FET-typ
P-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
200 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
4.3A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
800mOhm @ 2.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
700 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
35W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-220-3
Paket / Fodral
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Grundläggande produktnummer
IRFI9630
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
1,000
Andra namn
*IRFI9630GPBF
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IRLI620GPBF
MOSFET N-CH 200V 4A TO220-3
IXFT20N60Q
MOSFET N-CH 600V 20A TO268
IXTQ22N60P
MOSFET N-CH 600V 22A TO3P
