Tillverkare Produktnummer:
IRFI9610GPBF
Product Overview
Tillverkare:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Delenummer:
IRFI9610GPBF-DG
Beskrivning:
MOSFET P-CH 200V 2A TO220-3
Detaljerad beskrivning:
P-Channel 200 V 2A (Tc) 27W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventarier:
969 Pcs Ny Original I Lager
12915068
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IRFI9610GPBF Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Vishay
Förpackning
Tube
Serie
-
Produktens status
Active
FET-typ
P-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
200 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
2A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
3Ohm @ 1.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
13 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
180 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
27W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-220-3
Paket / Fodral
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Grundläggande produktnummer
IRFI9610
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
1,000
Andra namn
742-IRFI9610GPBF
*IRFI9610GPBF
IRFI9610GPBF-DG
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
SI5475DC-T1-E3
MOSFET P-CH 12V 5.5A 1206-8
SI5458DU-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 6A CHIPFET
SI2311DS-T1-GE3
MOSFET P-CH 8V 3A SOT23-3
