IRFD9110PBF

Tillverkare Produktnummer:

IRFD9110PBF

Product Overview

Tillverkare:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Delenummer:

IRFD9110PBF-DG

Beskrivning:

MOSFET P-CH 100V 700MA 4DIP

Detaljerad beskrivning:

P-Channel 100 V 700mA (Ta) 1.3W (Ta) Through Hole 4-HVMDIP

Inventarier:

3177 Pcs Ny Original I Lager

12959348

Begära offert

Antal
Minst 1

(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar

SKICKA

IRFD9110PBF Tekniska specifikationer

Kategori

FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er

Tillverkare

Vishay

Förpackning

Bulk

Serie

-

Produktens status

Active

FET-typ

P-Channel

Teknik

MOSFET (Metal Oxide)

Tömning till källspänning (Vdss)

100 V

Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C

700mA (Ta)

Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)

10V

rds på (max) @ id, vgs

1.2Ohm @ 420mA, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs

8.7 nC @ 10 V

Vgs (max)

±20V

Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds

200 pF @ 25 V

FET-funktion

-

Effektförlust (max)

1.3W (Ta)

Drifttemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Typ av montering

Through Hole

Paket för leverantörsenhet

4-HVMDIP

Paket / Fodral

4-DIP (0.300", 7.62mm)

Grundläggande produktnummer

IRFD9110

Datablad och dokument

Datablad

Datasheets

HTML-Datasheet

Ytterligare information

Standard-paket

2,500

Andra namn

*IRFD9110PBF

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status

ROHS3 Compliant

Känslighetsnivå för fukt (MSL)

1 (Unlimited)

REACH Status

REACH Unaffected

ECCN (ECCN)

EAR99

HTSUS (HTSUS)

8541.29.0095

DIGI Certifiering

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Relaterade produkter

vishay-siliconix

IRFI640GPBF

MOSFET N-CH 200V 9.8A TO220-3

vishay-siliconix

IRLZ34L

MOSFET N-CH 60V 30A TO262-3

vishay-siliconix

IRFR9024TRPBF

MOSFET P-CH 60V 8.8A DPAK

vishay-siliconix

SI4654DY-T1-E3

MOSFET N-CH 25V 28.6A 8SO