Tillverkare Produktnummer:
IRFD120
Product Overview
Tillverkare:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Delenummer:
IRFD120-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 100V 1.3A 4DIP
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 100 V 1.3A (Ta) 1.3W (Ta) Through Hole 4-HVMDIP
Inventarier:
12911956
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IRFD120 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Vishay
Förpackning
-
Serie
-
Produktens status
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
100 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
1.3A (Ta)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
270mOhm @ 780mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
16 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
360 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
1.3W (Ta)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
4-HVMDIP
Paket / Fodral
4-DIP (0.300", 7.62mm)
Grundläggande produktnummer
IRFD120
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
2,500
Andra namn
*IRFD120
IRFD122
IRFD121
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
RoHS non-compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
IRFD120PBF
Tillverkare
Vishay Siliconix
ANTAL TILLGÄNGLIGT
5890
DEL NUMMER
IRFD120PBF-DG
ENHETSPRIS
0.47
Ersättnings typ
Direct
DELNUMMER
IRFD123PBF
Tillverkare
Vishay Siliconix
ANTAL TILLGÄNGLIGT
6628
DEL NUMMER
IRFD123PBF-DG
ENHETSPRIS
0.47
Ersättnings typ
Parametric Equivalent
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IXFQ14N80P
MOSFET N-CH 800V 14A TO3P
IXTA180N085T7
MOSFET N-CH 85V 180A TO263-7
IRFR214TRL
MOSFET N-CH 250V 2.2A DPAK
