IRFD014PBF

Tillverkare Produktnummer:

IRFD014PBF

Product Overview

Tillverkare:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Delenummer:

IRFD014PBF-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 60V 1.7A 4DIP

Detaljerad beskrivning:

N-Channel 60 V 1.7A (Ta) 1.3W (Ta) Through Hole 4-HVMDIP

Inventarier:

1111 Pcs Ny Original I Lager

12868933

Begära offert

Antal
Minst 1

(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar

SKICKA

IRFD014PBF Tekniska specifikationer

Kategori

FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er

Tillverkare

Vishay

Förpackning

Bulk

Serie

-

Produktens status

Active

FET-typ

N-Channel

Teknik

MOSFET (Metal Oxide)

Tömning till källspänning (Vdss)

60 V

Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C

1.7A (Ta)

Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)

10V

rds på (max) @ id, vgs

200mOhm @ 1A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs

11 nC @ 10 V

Vgs (max)

±20V

Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds

310 pF @ 25 V

FET-funktion

-

Effektförlust (max)

1.3W (Ta)

Drifttemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Typ av montering

Through Hole

Paket för leverantörsenhet

4-HVMDIP

Paket / Fodral

4-DIP (0.300", 7.62mm)

Grundläggande produktnummer

IRFD014

Datablad och dokument

Datablad

Datasheets

HTML-Datasheet

Ytterligare information

Standard-paket

2,500

Andra namn

*IRFD014PBF

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status

ROHS3 Compliant

Känslighetsnivå för fukt (MSL)

1 (Unlimited)

REACH Status

REACH Unaffected

ECCN (ECCN)

EAR99

HTSUS (HTSUS)

8541.29.0095

DIGI Certifiering

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Relaterade produkter

vishay-siliconix

IRFPE50

MOSFET N-CH 800V 7.8A TO247-3

vishay-siliconix

IRF730ASTRR

MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK

vishay-siliconix

IRF830

MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220AB

vishay-siliconix

IRF730A

MOSFET N-CH 400V 5.5A TO220AB