IRFBG20PBF-BE3
Tillverkare Produktnummer:

IRFBG20PBF-BE3

Product Overview

Tillverkare:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Delenummer:

IRFBG20PBF-BE3-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO220AB
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 1000 V 1.4A (Tc) 54W (Tc) Through Hole TO-220AB

Inventarier:

1770 Pcs Ny Original I Lager
12955012
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

IRFBG20PBF-BE3 Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Vishay
Förpackning
Tube
Serie
-
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
1000 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
1.4A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
11Ohm @ 840mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
500 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
54W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-220AB
Paket / Fodral
TO-220-3
Grundläggande produktnummer
IRFBG20

Datablad och dokument

Ytterligare information

Standard-paket
50
Andra namn
742-IRFBG20PBF-BE3

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
Vendor Undefined
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
vishay-siliconix

IRF644L

MOSFET N-CH 250V 14A I2PAK

alpha-and-omega-semiconductor

AON6332

MOSFET N-CH 30V 5X6 DFN

central-semiconductor

CP775-CWDM3011P-WN

MOSFET P-CH 30V 11A DIE

diodes

ZVP3306FTA

MOSFET P-CH 60V 90MA SOT23-3