IRFBF30PBF
Tillverkare Produktnummer:

IRFBF30PBF

Product Overview

Tillverkare:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Delenummer:

IRFBF30PBF-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 900V 3.6A TO220AB
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 900 V 3.6A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB

Inventarier:

778 Pcs Ny Original I Lager
12911868
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

IRFBF30PBF Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Vishay
Förpackning
Tube
Serie
-
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
900 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
3.6A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
3.7Ohm @ 2.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
78 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1200 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
125W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-220AB
Paket / Fodral
TO-220-3
Grundläggande produktnummer
IRFBF30

Datablad och dokument

Datasheets
IRFBF30PBF
HTML-Datasheet
IRFBF30PBF-DG
Datablad
IRFBF30 Packaging Information

Ytterligare information

Standard-paket
50
Andra namn
*IRFBF30PBF

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterade produkter
vishay-siliconix

SI4401BDY-T1-GE3

MOSFET P-CH 40V 8.7A 8SO

vishay-siliconix

IRFS11N50ATRR

MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK

vishay-siliconix

SI7850DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8

vishay-siliconix

IRFR014

MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK