Tillverkare Produktnummer:
IRFBF20STRLPBF
Product Overview
Tillverkare:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Delenummer:
IRFBF20STRLPBF-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 900V 1.7A D2PAK
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 900 V 1.7A (Tc) 3.1W (Ta), 54W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventarier:
1416 Pcs Ny Original I Lager
12908990
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IRFBF20STRLPBF Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Vishay
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
900 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
1.7A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
8Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
490 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
3.1W (Ta), 54W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
TO-263 (D2PAK)
Paket / Fodral
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Grundläggande produktnummer
IRFBF20
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
800
Andra namn
IRFBF20STRLPBFTR
742-IRFBF20STRLPBFCT
IRFBF20STRLPBFCT
IRFBF20STRLPBFDKR
742-IRFBF20STRLPBFTR
742-IRFBF20STRLPBFDKR
IRFBF20STRLPBFCT-DG
IRFBF20STRLPBFDKR-DG
IRFBF20STRLPBFTR-DG
IRFBF20STRLPBF-DG
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IXFT26N60P
MOSFET N-CH 600V 26A TO268
IRF730SPBF
MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK
IRFD310PBF
MOSFET N-CH 400V 350MA 4DIP
