IRFBF20SPBF

Tillverkare Produktnummer:

IRFBF20SPBF

Product Overview

Tillverkare:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Delenummer:

IRFBF20SPBF-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 900V 1.7A D2PAK

Detaljerad beskrivning:

N-Channel 900 V 1.7A (Tc) 3.1W (Ta), 54W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Inventarier:

759 Pcs Ny Original I Lager

12908110

Begära offert

Antal
Minst 1

(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar

SKICKA

IRFBF20SPBF Tekniska specifikationer

Kategori

FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er

Tillverkare

Vishay

Förpackning

Tube

Serie

-

Produktens status

Active

FET-typ

N-Channel

Teknik

MOSFET (Metal Oxide)

Tömning till källspänning (Vdss)

900 V

Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C

1.7A (Tc)

Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)

10V

rds på (max) @ id, vgs

8Ohm @ 1A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs

38 nC @ 10 V

Vgs (max)

±20V

Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds

490 pF @ 25 V

FET-funktion

-

Effektförlust (max)

3.1W (Ta), 54W (Tc)

Drifttemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Typ av montering

Surface Mount

Paket för leverantörsenhet

TO-263 (D2PAK)

Paket / Fodral

TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Grundläggande produktnummer

IRFBF20

Datablad och dokument

Datablad

IRFBF20S,L, SiHFBF20S,L

Datasheets

HTML-Datasheet

Ytterligare information

Standard-paket

50

Andra namn

*IRFBF20SPBF

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status

ROHS3 Compliant

Känslighetsnivå för fukt (MSL)

1 (Unlimited)

REACH Status

REACH Unaffected

ECCN (ECCN)

EAR99

HTSUS (HTSUS)

8541.29.0095

DIGI Certifiering

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Relaterade produkter

vishay-siliconix

IRF9530STRRPBF

MOSFET P-CH 100V 12A D2PAK

vishay-siliconix

IRFBF30

MOSFET N-CH 900V 3.6A TO220AB

vishay-siliconix

IRF737LCSTRL

MOSFET N-CH 300V 6.1A D2PAK

vishay-siliconix

IRFP244

MOSFET N-CH 250V 15A TO247-3