IRFBF20PBF
Tillverkare Produktnummer:

IRFBF20PBF

Product Overview

Tillverkare:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Delenummer:

IRFBF20PBF-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 900V 1.7A TO220AB
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 900 V 1.7A (Tc) 54W (Tc) Through Hole TO-220AB

Inventarier:

747 Pcs Ny Original I Lager
12868787
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

IRFBF20PBF Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Vishay
Förpackning
Tube
Serie
-
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
900 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
1.7A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
8Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
490 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
54W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-220AB
Paket / Fodral
TO-220-3
Grundläggande produktnummer
IRFBF20

Datablad och dokument

Datasheets
IRFBF20PBF
HTML-Datasheet
IRFBF20PBF-DG
Datablad
IRFBF20 Packaging Information

Ytterligare information

Standard-paket
50
Andra namn
*IRFBF20PBF

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterade produkter
vishay-siliconix

IRFD9010PBF

MOSFET P-CH 50V 1.1A 4DIP

vishay-siliconix

IRFP450

MOSFET N-CH 500V 14A TO247-3

nexperia

BUK966R5-60E,118

MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK

nxp-semiconductors

BUK9E4R9-60E,127

MOSFET N-CH 60V 100A I2PAK