IRFBC40STRLPBF
Tillverkare Produktnummer:

IRFBC40STRLPBF

Product Overview

Tillverkare:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Delenummer:

IRFBC40STRLPBF-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 600 V 6.2A (Tc) 3.1W (Ta), 130W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Inventarier:

800 Pcs Ny Original I Lager
12893390
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

IRFBC40STRLPBF Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Vishay
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
600 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
6.2A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
1.2Ohm @ 3.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1300 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
3.1W (Ta), 130W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
TO-263 (D2PAK)
Paket / Fodral
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Grundläggande produktnummer
IRFBC40

Ytterligare information

Standard-paket
800
Andra namn
IRFBC40STRLPBFTR
IRFBC40STRLPBFDKR
IRFBC40STRLPBF-DG
IRFBC40STRLPBFCT

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterade produkter
taiwan-semiconductor

TSM220NB06CR RLG

MOSFET N-CH 60V 8A/35A 8PDFN

vishay-siliconix

IRF9610SPBF

MOSFET P-CH 200V 1.8A D2PAK

vishay-siliconix

IRF510STRR

MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK

vishay-siliconix

IRF840LCSTRRPBF

MOSFET N-CH 500V 8A TO263AB