Tillverkare Produktnummer:
IRFB9N60APBF-BE3
Product Overview
Tillverkare:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Delenummer:
IRFB9N60APBF-BE3-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 600V 9.2A TO220AB
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 600 V 9.2A (Tc) 170W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventarier:
1024 Pcs Ny Original I Lager
12978089
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IRFB9N60APBF-BE3 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Vishay
Förpackning
Tube
Serie
-
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
600 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
9.2A (Tc)
rds på (max) @ id, vgs
750mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
49 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1400 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
170W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-220AB
Paket / Fodral
TO-220-3
Grundläggande produktnummer
IRFB9
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
50
Andra namn
742-IRFB9N60APBF-BE3
Miljö- och exportklassificering
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
CP775-CWDM3011P-CT
MOSFET P-CH 30V 11A DIE
SIHB15N80AE-GE3
MOSFET N-CH 800V 13A D2PAK
SQJQ142E-T1_GE3
MOSFET N-CH 40V 460A PPAK 8 X 8
