IRF9Z10PBF-BE3
Tillverkare Produktnummer:

IRF9Z10PBF-BE3

Product Overview

Tillverkare:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Delenummer:

IRF9Z10PBF-BE3-DG

Beskrivning:

MOSFET P-CH 60V 6.7A TO220AB
Detaljerad beskrivning:
P-Channel 60 V 6.7A (Tc) 43W (Tc) Through Hole TO-220AB

Inventarier:

862 Pcs Ny Original I Lager
12945842
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

IRF9Z10PBF-BE3 Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Vishay
Förpackning
Tube
Serie
-
Produktens status
Active
FET-typ
P-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
60 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
6.7A (Tc)
rds på (max) @ id, vgs
500mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
270 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
43W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-220AB
Paket / Fodral
TO-220-3
Grundläggande produktnummer
IRF9Z10

Datablad och dokument

Datablad
IRF9Z10
Datasheets
IRF9Z10PBF-BE3
HTML-Datasheet
IRF9Z10PBF-BE3-DG

Ytterligare information

Standard-paket
50
Andra namn
742-IRF9Z10PBF-BE3

Miljö- och exportklassificering

Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterade produkter
vishay-siliconix

IRFR1N60ATRPBF-BE3

MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK

vishay-siliconix

IRF9Z24PBF-BE3

MOSFET P-CH 60V 11A TO220AB

vishay-siliconix

IRF740LCPBF-BE3

MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB

vishay-siliconix

SQJ422EP-T1_BE3

MOSFET N-CH 40V 75A PPAK SO-8